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2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能,如高禁带宽度、高电导率和高热导率,有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用,本文将详细介
2023年2月15日 传统体系中外延生长原理是 C 源(C3H8 )与 Si 源( SiH4 )由载气(H2 )稀释进入反应室,到达被加热的 SiC 晶圆表面,发生反应生成 SiC 薄膜和副产物。 典型条件下
摘要: 碳化硅 (silicon carbide,SiC) 器件作为一种宽禁带半导 体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。. 近 20 年 来, SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该 文对近
目前碳化硅功率器件主要定位于功率在1kw-500kw之间、工作频率在10KHz-100MHz之间的场景,特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用,如电动汽车车载充电机与电
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用 石英砂 、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的
在这里,分以下二个方面进行阐述:一是以传统的硅半导体为基础的“硅(Si)功率元器件”,另一是与Si半导体相比,损耗更低,高温环境条件下工作特性优异,有望成为新一代
2020年6月12日 碳化硅(SiC),又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途。此外,碳化硅还大量用于制
2020年4月1日 碳化硅的用途. 1/3. 磨料:由于碳化硅有很高的硬度,化学稳定性较强,凭借自身的韧性能够用于制造磨具、涂附磨具和研磨,可用来加工玻璃、陶瓷、石材、铸铁
2023年6月6日 而我们的这款碳化硅减薄机,利用安装在空气静压电主轴上的专用金刚石砂轮,横向高速旋转,纵向以亚微米的速度向下进给,磨削吸附在陶瓷吸盘上的碳化硅圆
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